特許

J-GLOBAL ID：200903006688609627

半導体装置の製造方法

発明者： 窪田 徹哉 ,  坂村 正二
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-214081
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066303
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】 トンネル電流による誤書き込みを防止し高信頼性のEEPROMを製造することを可能とする。【構成】 フローティングゲート(29)を形成した後に、そのフローティングゲート(29)の下縁部を被覆するように側部絶縁膜(31)を形成する工程を導入する。そして、前洗浄処理、第二の絶縁膜(32)、コントロールゲート(33)の形成工程を行う。上記の側部絶縁膜(31)を形成したことで、フローティングゲート(29)とコントロールゲート(33)の間の絶縁膜を厚くでき、不要なトンネル電流の発生を防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板(21)の上に第一の絶縁膜(22)を介してフロ-ティングゲ-ト(29)を形成する工程と、前記フロ-ティングゲ-ト(29)の下縁部を被覆するように側部絶縁膜(31)を形成した後に半導体基板(21)を洗浄する工程と、前記フロ-ティングゲ-ト(29)を被覆するように第二の絶縁膜(32)を形成する工程と、少なくとも前記フロ-ティングゲ-ト(29)の上部および側部を被覆するようにコントロ-ルゲ-ト(33)を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-230775
  
• 特開平2-010875
  
• 特開平4-091471