光触媒材料

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-193564
公開番号（公開出願番号）：特開2005-028225
出願日： 2003年07月08日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】製造工程が簡単であり、水の酸化・還元電位に対して十分に広いバンドギャップをもつp型半導体を含む高活性なpn接合光触媒材料を提供する。また、ガラスなど比較的耐熱性の低い基材上にも形成可能な、薄膜としてのpn接合光触媒材料を提供する。【解決手段】下記(a)と(b)が接合していることを特徴とする光触媒材料。(a)バンドギャップが2.8eV以上、キャリア密度が1013(cm-3)以下、ドーパントが窒素であるp型光半導体(b)n型光半導体【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記(a)と(b)が接合していることを特徴とする光触媒材料。 (a)バンドギャップが2.8eV以上、キャリア密度が1013(cm-3)以下、かつドーパントが窒素であるp型光半導体 (b)n型光半導体

IPC (8件)：

B01J35/02 , B01J23/06 , B01J37/02 , B01J37/04 , C09D5/16 , C09D7/12 , C09D201/00 , C23C14/08

FI (8件)：

B01J35/02 J , B01J23/06 M , B01J37/02 301P , B01J37/04 101 , C09D5/16 , C09D7/12 , C09D201/00 , C23C14/08 C

Fターム (66件)：

4G069AA02 , 4G069AA03 , 4G069AA08 , 4G069BA04A , 4G069BA04B , 4G069BA05A , 4G069BA48A , 4G069BB04A , 4G069BB04B , 4G069BB06A , 4G069BC03A , 4G069BC09A , 4G069BC10A , 4G069BC12A , 4G069BC13A , 4G069BC18A , 4G069BC22A , 4G069BC25A , 4G069BC35A , 4G069BC35B , 4G069BC36A , 4G069BC42A , 4G069BC43A , 4G069BC54A , 4G069BC55A , 4G069BC56A , 4G069BC60A , 4G069BC68A , 4G069CD10 , 4G069DA06 , 4G069EA01X , 4G069EA08 , 4G069EB15X , 4G069EB15Y , 4G069EC27 , 4G069EC28 , 4G069ED02 , 4G069FA01 , 4G069FA03 , 4G069FB02 , 4G069FB03 , 4G069FB07 , 4G069FB08 , 4G069FB10 , 4G069FB23 , 4G069FB30 , 4G069FB57 , 4J038CD091 , 4J038CD101 , 4J038CD111 , 4J038CD121 , 4J038DL031 , 4J038DL071 , 4J038DL081 , 4J038DL091 , 4J038HA216 , 4J038NA05 , 4K029AA09 , 4K029BA49 , 4K029BB02 , 4K029BC07 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 4K029EA01

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