特許
J-GLOBAL ID：200903006708033158
薄膜形成方法、シリコン薄膜及びシリコン薄膜トランジスタの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-023986
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102189
出願日： 1992年02月10日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】本発明は、薄膜形成方法、シリコン薄膜及びシリコン薄膜トランジスタの形成方法に関し、低温で結晶性のよいシリコンの薄膜を成長することを目的とする。【構成】二元系材料を構成する各原子を別々に含む2つの雰囲気に基体1を交互に曝す原子層堆積法により、該基体1上に二元系材料膜2を成長し、つづいて該二元系材料膜2の上にシリコン膜3を成長することを含み構成する。
請求項（抜粋）：
二元系材料を構成する各原子を別々に含む2つの雰囲気に基体(1)を交互に曝す原子層堆積法により、該基体(1)上に二元系材料膜(2)を成長し、つづいて該二元系材料膜(2)の上にシリコン膜(3)を成長することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, C23C 14/26
, C30B 25/14
, H01L 21/205
