特許

J-GLOBAL ID：200903006708067745

半導体結晶成長装置および成長法

発明者： 笹岡 千秋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-357847
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196422
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 Si単結晶の超高真空中エピタキシャル成長において、実用的な成長速度と原子層レベルの膜厚制御性を実現する。【構成】 ジクロルシラン分解セルと還元ガス導入セルを備え、ジクロルシランの分解により生成されるSiCl2をSi原料ガスとする。SiCl2はシラン(SiH4)、ジシラン(Si2H6)よりも付着係数が高く、原料供給効率が増大する。したがってSiCl2と還元ガスを同時に供給することにより、Siの高成長速度が実現される。さらにSiCl2と還元性ガスを交互に供給することにより、SiCl2吸着の自己停止機構を利用した原子層レベルでの成長膜厚制御が可能となる。

請求項（抜粋）：

真空排気手段を備えた成長槽と、該成長槽にSiCl2を導入するジクロルシラン分解セルと、前記成長槽に還元性気体を導入する還元性気体導入セルとを備え、前記ジクロルシラン分解セルは、ジクロルシランをセル内に導入するジクロルシラン導入管と、該導入管に接続し、ジクロルシランを熱分解する熱分解管とを備えてなることを特徴とする半導体結晶成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-125679
  
• 特開昭60-041047
  
• 特開平3-060917