特許
J-GLOBAL ID：200903006711088079
スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド及びスピンバルブ型薄膜磁気素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-016333
公開番号（公開出願番号）：特開2001-052315
出願日： 2000年01月25日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、耐熱性、耐食性に優れたスピンバルブ型薄膜磁気素子の提供と、フリー磁性層の磁化方向を確実に揃えることができるバイアス構造を備えたスピンバルブ型薄膜磁気素子の提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、反強磁性層と、磁化方向が固定される固定磁性層と、固定磁性層の上に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層と、フリー磁性層の上にトラック幅に相当する間隔を開けて配置された軟磁性層と、軟磁性層上に形成され、フリー磁性層の磁化方向を固定磁性層の磁化方向に対して交差する方向に揃えるバイアス層と、導電層とを基板上に有するスピンバルブ型薄膜磁気素子であり、反強磁性層およびバイアス層をPt、Pd、Rh、Ru、Ir、Os、Au、Ag、Cr、Ni、Ne、Ar、Xe、Krのうちの少なくとも1種または2種以上の元素と、Mnとを含む合金から形成したものである。
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、前記反強磁性層に接して形成され、前記反強磁性層との交換異方性磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層の上に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層と、前記フリー磁性層の上にトラック幅に相当する間隔を開けて配置された軟磁性層と、前記軟磁性層の上に形成され、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向に対して交差する方向に揃えるバイアス層と、前記フリー磁性層に検出電流を与える導電層とを基板上に有するスピンバルブ型薄膜磁気素子であり、前記反強磁性層および前記バイアス層は、Pt、Pd、Rh、Ru、Ir、Os、Au、Ag、Cr、Ni、Ne、Ar、Xe、Krのうちの少なくとも1種または2種以上の元素と、Mnとを含む合金からなることを特徴とするスピンバルブ型薄膜磁気素子。
Fターム (5件)：
5D034BA05
, 5D034BB12
, 5D034BB20
, 5D034CA08
, 5D034DA07
