特許

J-GLOBAL ID：200903006712926086

窒化物半導体の成長方法

発明者： 阿部 雅俊 ,  藤岡 陽
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-338456
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142414
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 低転位の窒化物半導体単結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 基板上に第1の窒化物半導体層を成長させた後、エッチングにより第1の窒化物半導体層に生じた転位部にエッチピットを形成し、該エッチピット内に保護膜を設け、第2の窒化物半導体層4を成長させてエッチピットを埋め込むことによって、転位の伝播を防ぎ第2の窒化物半導体中の転位を低減させる窒化物半導体の成長方法。

請求項（抜粋）：

基板上に積層した第1の窒化物半導体層の上面に、エッチングによってピットを形成する第1の工程と、前記ピットの内部に、保護膜を成膜する第2の工程と、前記第1の窒化物半導体層を核とし、この上に、第2の窒化物半導体層を成長させる第3の工程とを備えたことを特徴とする窒化物半導体の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (34件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC12 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 結晶膜、結晶基板および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-010709   出願人：ソニー株式会社
• 結晶膜、結晶基板および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-010708   出願人：ソニー株式会社