特許

J-GLOBAL ID：200903006716437268

磁気ランダムアクセスメモリおよび磁気メモリセル

発明者： 斎藤 眞
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (3件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198489
公開番号（公開出願番号）：特開2004-040028
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】磁気ランダムアクセスメモリにおいて、特定の磁気メモリセルの磁化方向を容易に制御できる手段、および磁気メモリセルの磁化を安定させる手段を提供する。【解決手段】磁気メモリセルの形状を磁性体に特有の反磁界係数を磁性膜の面内で極力一様になる形状例えば円形または楕円形とし、その長軸方向をワード線とセンス線の交差角に挟まれた方向とする。【効果】選択した磁気メモリセルの磁化方向が制御し易くなるとともに、磁化を安定化させることが可能となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数のワード線と複数のセンス線がマトリックス状に配置されその交差領域に磁気メモリセルを配置してなる磁気ランダムアクセスメモリにおいて、前記磁気メモリセルの磁化容易軸方向を、前記ワード線と前記センス線の交差角に挟まれた方向としたことを特徴とした磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (3件)：

H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110 ,  H01L43/08 Z

Fターム (6件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05