特許

J-GLOBAL ID：200903006719399804

光学式データ記憶用ブロックコポリマー

発明者： ホルスト・ベルネト ,  トーマス・ビーリンガー ,  ライナー・ハーゲン ,  セルゲイ・コストロミネ ,  ハンス-ヴェルナー・シュミット ,  アクセル・ミューラー ,  シュテファン・ツィルカー ,  カルステン・フレンツ ,  トーマス・ブライナー
出願人/特許権者： バイエル アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-500970
公開番号（公開出願番号）：特表2003-535196
出願日： 2001年05月18日
公開日（公表日）： 2003年11月25日
要約：

【要約】本発明は、光学式データ記憶のためのブロックコポリマーに関する。

請求項（抜粋）：

一般式(CI):【化1】〔式中、 R100は、水素またはメチルを表し、 R701は、水素、または光異性化性の基を有さないC1〜C8直鎖または分枝アルキル、好ましくはメチル、エチル、プロピル、n-ブチル、特に好ましくはメチルを表す。〕で示される少なくとも3個の反復単位を有する少なくとも1種のブロック(A)、および 一般式(CII):【化2】〔式中、 R702は、水素またはメチルを表し、 R703は、[S-T-Q-P]〈式中、Pは、Aおよび/またはMを表すが、但しPはAを表すポリマー(B)の1種またはそれ以上のブロックが、常に含まれる。〉を表し、 P=A(色素基)、M(メソゲン)である式:S-T-Q-Pで示される、主鎖から枝分れしている側鎖は、一般に以下の定義:【化3】〈式中、 S1、S2は、相互に独立に、O、S原子またはNR1基を表し、 R1は、水素またはC1〜C4アルキルを表し、 T1、T2は、相互に独立に、任意に-O-、-NR1-若しくは-OSiR12O-により介在されていても良い、および/またはメチル若しくはエチルにより置換されていても良い、(CH2)n基を表し、 nは、2、3または4の数を表し、 Q1、Q2は、二価の基を表し、 Aは、電磁放射を吸収することができる単位を表し、 Mは、少なくとも12個のπ電子を有する分極性芳香族基を表す。〉により表される。〕で示される反復単位を有する少なくとも1種のブロック(B)からなることを特徴とする、様々なブロックを有するポリマー。

IPC (4件)：

C08F293/00 ,  C08J 5/00 CEY ,  G03H 1/02 ,  C08L 33:14

FI (4件)：

C08F293/00 ,  C08J 5/00 CEY ,  G03H 1/02 ,  C08L 33:14

Fターム (29件)：

2K008AA04 ,  2K008DD12 ,  2K008EE01 ,  2K008EE04 ,  2K008FF11 ,  2K008GG05 ,  4F071AA33X ,  4F071AA76 ,  4F071AF29 ,  4F071AG24 ,  4F071AH12 ,  4F071BB05 ,  4F071BB06 ,  4F071BC01 ,  4F071BC07 ,  4J026HA11 ,  4J026HA28 ,  4J026HA32 ,  4J026HA38 ,  4J026HA39 ,  4J026HB11 ,  4J026HB19 ,  4J026HB28 ,  4J026HB32 ,  4J026HB38 ,  4J026HB39 ,  4J026HB45 ,  4J026HB47 ,  4J026HE01