特許
J-GLOBAL ID：200903006721853792
窒化物半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-160566
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354891
出願日： 1998年06月09日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【目的】窒化物半導体レーザの素子化において、サファイアを基板とする窒化物半導体ウエハーをチップ状にカットする工程で、効率よく研磨の際に発生する基板の反りを少なくする方法と、レーザ光の取り出しに際し、良好なファーフィールドパターンを有するレーザ光が得られる方法とを提供する。【構成】第一の工程として、基板上にn型窒化物半導体、p型窒化物半導体が順次積層されたウエハーのp側層の最表面の一部をエッチングして、エッチング端面に共振面を形成すると共に第一のn側層平面を露出させ、続いて第二の工程として、出射するレーザの広がり角θが30°以上となるように、共振面から連続した前記n側層平面の一部のn側層を除去することにより第一のn側層平面より基板側に第二のn側層平面を設け、最後に第三の工程として、更に第二のn側層平面の一部のn側層をダイサーにより除去し、n側層もしくは基板を露出した第三の平面を設け、この第三の平面からチップ状にカットする。
請求項（抜粋）：
第一の工程として、基板上にn型窒化物半導体、p型窒化物半導体が順次積層されたウエハーのp側層の最表面の一部をエッチングして、エッチング端面に共振面を形成すると共に第一のn側層平面を露出させ、続いて第二の工程として、出射するレーザの広がり角θが30°以上となるように、共振面から連続した前記n側層平面の一部のn側層を除去することにより第一のn側層平面より基板側に第二のn側層平面を設け、最後に第三の工程として、更に第二のn側層平面の一部のn側層をダイサーにより除去し、n側層もしくは基板を露出した第三の平面を設け、この第三の平面からチップ状にカットすることを特徴とする窒化物半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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