特許
J-GLOBAL ID：200903006731111646
銅・アルミ酸化物半導体薄膜の製造方法及びこれを用いたpn接合構造
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-388156
公開番号（公開出願番号）：特開2003-192345
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：
【要約】【課題】 大面積の導電性銅アルミ酸化物を常圧の大気中にて作成する方法及びそれを用いて構成したpn接合を提供する。【解決手段】 硝酸銅と硝酸アルミニウムと水からなる原料水溶液を結晶性のシリコン基板、結晶性の酸化シリコン基板、結晶性の酸化アルミニウム基板に塗布し、静置した後、乾燥させ、次いで焼成する配向構造を有する銅アルミ酸化物薄膜の製造方法。
請求項（抜粋）：
硝酸銅と硝酸アルミニウムと水からなる原料水溶液を結晶性のシリコン基板、結晶性の酸化シリコン基板、結晶性の酸化アルミニウム基板に塗布し、静置した後、乾燥させ、次いで焼成する配向構造を有する銅アルミ酸化物薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
引用文献：
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