半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-100159
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298071
出願日： 2002年04月02日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】JTE構造における高耐圧化、小面積化等【解決手段】N-型領域5と、P+型領域3と、チャネルストップ領域4と、JTE構造としてP-型領域12と、絶縁膜6と、P+側の電極7と、N-側の電極8と、等電位リング電極14とを有する半導体装置において、P-型領域12の半導体素材表面に露出する面が、絶縁膜6により覆われているとともに、等電位リング電極14の内端部がP-型領域12の外周直上位置より内側まで延設されている構造とした。

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体素材の表層部に形成された第一導電型と逆導電型である第二導電型の第二導電型高濃度領域と、第二導電型で前記第二導電型高濃度領域より不純物濃度が低く、前記第二導電型高濃度領域の少なくとも外周部に接合し、前記半導体素材表面に前記第二導電型高濃度領域の外周に隣接して露出するように形成された第二導電型低濃度領域と、前記半導体素材の表層部であって、前記第二導電型低濃度領域より外方に形成されたチャネルストップ領域と、前記半導体素材表面上を所定パターンで覆う絶縁膜と、前記第二導電型高濃度領域側の電極と、前記半導体素材の第一導電型領域側の電極と、前記チャネルストップ領域に一部を接続し、前記第一導電型領域側の電極と同電位に保持された等電位リング電極とを備える半導体装置において、前記第二導電型低濃度領域の前記半導体素材表面に露出する面が、前記絶縁膜により覆われ、前記等電位リング電極の内端部が前記絶縁膜上に敷設され、前記第二導電型低濃度領域の外周直上位置より内側まで延設されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/861 , H01L 29/06 301 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 655

FI (6件)：

H01L 29/06 301 G , H01L 29/78 652 N , H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 655 F , H01L 29/91 D , H01L 29/91 Z

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