特許

J-GLOBAL ID：200903006748008687

光半導体装置および光半導体モジュール

発明者： 高橋 強 ,  高田 清
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-335867
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164896
出願日： 1998年11月26日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 発光素子や受光素子の外形をできる限り薄くし、光減衰を抑制するためにフィラーの混入率を減らす。そして、このフィラーの混入率の低下により発生する抵抗体の変化を抑制する。【解決手段】 光半導体装置に採用される光に対して透過な封止材料14には、光散乱を抑制するために、フィラー16の混入率が抑制されている。またはゼロとなっている。しかしこのフィラーの混入率の低下のために発生する応力で発生する抵抗体の抵抗値の変化は、抵抗体を斜め配置にすることで抑制する。

請求項（抜粋）：

第1の領域を光の受光領域とし、第2の領域を前記受光領域の駆動回路とした半導体チップと、前記半導体チップを封止し、前記光に対して透過な樹脂封止体とを有し、前記光が外部より前記樹脂封止体に侵入して前記受光領域に入射され、前記駆動回路で処理される光半導体装置に於いて、前記駆動回路を構成する抵抗体は、チップの側辺に対して45度に交差する方向に配置される事を特徴とした光半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 31/02 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 27/14

FI (3件)：

H01L 31/02 B ,  H01L 23/30 B ,  H01L 27/14 D

Fターム (28件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA21 ,  4M109DA07 ,  4M109DB16 ,  4M109EA02 ,  4M109EB11 ,  4M109EE12 ,  4M109GA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB05 ,  4M118BA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118FC01 ,  4M118FC09 ,  4M118GD02 ,  4M118HA16 ,  4M118HA17 ,  4M118HA25 ,  4M118HA27 ,  5F088AA03 ,  5F088BA01 ,  5F088BB01 ,  5F088DA17 ,  5F088JA06 ,  5F088KA10