特許

J-GLOBAL ID：200903006748339853

半導体装置

発明者： 滝田 勇二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-191423
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055961
出願日： 1994年08月15日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 抵抗トリミングを行う場合の、トリミング回路の小型化と高精度、高再現性が可能な半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板中に形成された抵抗体拡散領域と、この抵抗体拡散領域の上部に形成された2つのコンタクトホールと、この一方のコンタクトホールの上に形成された薄い絶縁膜とで少なく共構成される。この薄い絶縁膜に所定の電圧を印加し、絶縁膜を破壊、短絡させることにより、トリミング回路の接続変更を行ない、所望の抵抗値を得るべく構成された、半導体チップ上の回路である。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面の一部に形成された抵抗体と、該抵抗体の上部に形成された厚い絶縁膜と、該厚い絶縁膜を貫通して、該抵抗体に達する第1、および第2のコンタクトホールと、該第1のコンタクトホール内の抵抗体の露出している表面に形成された薄い絶縁膜と、該第1のコンタクトホールを介して該第1の薄い絶縁膜に達する第1の金属配線と、該第2のコンタクホールを介して該抵抗体に接続される第2の金属配線とで少なく共構成され、該第1および第2の金属配線との間に所定の電圧を印加して、該薄い絶縁膜を破壊し、該第1の金属配線と該抵抗体とを短絡することにより、抵抗値調整を行うことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 27/04 V ,  H01L 21/82 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-016652
  
• 特開昭64-071168
  
• 特公昭47-011779