特許
J-GLOBAL ID:200903006764554934

フッ素化官能性化合物の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宇井 正一 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-015349
公開番号(公開出願番号):特開平6-040951
出願日: 1993年02月02日
公開日(公表日): 1994年02月15日
要約:
【要約】【目的】 過フッ素化された及び一部フッ素化された官能性化合物、例えば、過フッ素化された及び一部フッ素化されたカルボン酸、エステル、ケトン、アルコール、アミド、カルボン酸フッ化物、及びこれらの誘導体の製造方法を与えること。【構成】 (a) フッ素化可能な環式もしくは非環式カーボネートを温度制御反応器内でフッ素ガスと接触させ前記カーボネートを直接フッ素化すること、及び(b) 得られるフッ素化されたカーボネートを反応性求核剤と混合し、前記フッ素化されたカーボネートと前記求核剤とを反応させ、前記フッ素化されたカーボネートのフッ素化された官能性誘導体を形成することによりフッ素化された官能性化合物が製造される。
請求項(抜粋):
以下の工程(a) フッ素化可能な環式もしくは非環式カーボネートを温度制御反応器内でフッ素ガスと接触させ前記カーボネートを直接フッ素化すること、及び(b) 得られるフッ素化されたカーボネートを反応性求核剤と混合し、前記フッ素化されたカーボネートと前記求核剤とを反応させ、前記フッ素化されたカーボネートのフッ素化された官能性誘導体を形成することを含む、フッ素化官能性化合物の製造方法。
IPC (6件):
C07B 39/00 ,  C07C 31/34 ,  C07C 68/06 ,  C07C 69/96 ,  C07C 51/60 ,  C07C 53/46

前のページに戻る