特許
J-GLOBAL ID：200903006767302936

垂直磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記録装置

発明者：
向井 良一

向井 良一 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-039585
公開番号（公開出願番号）：特開2008-204539
出願日： 2007年02月20日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：
【課題】非磁性層により囲まれた柱状磁性結晶よりなる記録層を有する垂直磁気記録媒体において、柱状磁性結晶の粒径分散を低減し、信号対ノイズ比およびオーバーライト特性を向上させ、また書き込み領域幅を低減する。【解決手段】基板と、前記基板上に順次形成された軟磁性裏打ち層、配向制御層13と、RuあるいはRu合金の連続膜よりなる第1の下地層31と、RuあるいはRu合金よりなる複数の結晶粒14aと、前記複数の結晶粒を互いに離間させる隙間14bとよりなる第2の下地層14と、前記複数の結晶粒に対応して形成され、各々基板面に略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子15aと、前記複数の磁性粒子を互いに離隔する非磁性粒界相15bとよりなる記録層15と、よりなる垂直磁気記録媒体であって、前記第1の下地層13と前記配向制御層との界面には、複数の核が、互いに離間して形成されていることを特徴とする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成された軟磁性裏打ち層と、 前記軟磁性裏打ち層上に形成された配向制御層と、 前記配向制御層上に形成されたRuあるいはRu合金の連続膜よりなる第1の下地層と、 前記第1の下地層上に形成されたRuあるいはRu合金よりなる複数の結晶粒と、前記複数の結晶粒を互いに離間させる隙間とよりなる第2の下地層と、 前記第2の下地層上に、前記複数の結晶粒に対応して形成され、各々基板面に略垂直方向に磁化容易軸を有する複数の磁性粒子と、前記複数の磁性粒子を互いに離隔する非磁性粒界相とよりなる記録層と、 よりなる垂直磁気記録媒体であって、 前記第1の下地層は、粒界において互いに接して形成された複数の結晶粒よりなり、 前記第2の下地層を構成する複数の結晶粒の一つは、前記第1の下地層を構成する複数の結晶粒の一つに対応して形成されており、 前記第2の下地層中において前記第1の下地層を構成する複数の結晶粒の一つに対応する前記結晶粒と前記配向制御層との界面には、複数の核が、互いに離間して形成されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
IPC (4件)：
G11B 5/738 ,  G11B 5/65 ,  G11B 5/64 ,  G11B 5/851
FI (4件)：
G11B5/738 ,  G11B5/65 ,  G11B5/64 ,  G11B5/851
Fターム (19件)：
5D006BB02 ,  5D006BB06 ,  5D006BB07 ,  5D006CA01 ,  5D006CA03 ,  5D006CA05 ,  5D006CA06 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D112AA03 ,  5D112AA04 ,  5D112AA05 ,  5D112AA19 ,  5D112BB05 ,  5D112BB06 ,  5D112FA04 ,  5D112FB20 ,  5D112FB30
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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