特許
J-GLOBAL ID:200903006768401997

高炉への微粉炭多量吹込みにおける低シリコン操業方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 中濱 泰光
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-166132
公開番号(公開出願番号):特開2002-060810
出願日: 2001年06月01日
公開日(公表日): 2002年02月28日
要約:
【要約】【課題】 原料の配合構成を調整することにより、微粉炭を180kg/t-溶銑以上吹き込む高炉操業において低Si操業を安定して、且つ低コストで行なう高炉の操業方法を開発する。【解決手段】 高炉から排出されるスラグ比を270〜330kg/t-溶銑の範囲内にし、当該スラグ中のMgO含有率を5.5〜7.0mass%の範囲内に調整し、そして、溶銑のSi濃度を0.3mass%以下に制御する。
請求項(抜粋):
微粉炭を180kg/t-溶銑以上吹き込む高炉操業において、高炉から排出されるスラグ比を270〜330kg/t-溶銑の範囲内にし、当該スラグ中のMgO含有率を5.5〜7.0mass%の範囲内に調整し、そして、溶銑のSi濃度を0.3mass%以下に制御することを特徴とする、高炉への微粉炭多量吹込みにおける低シリコン操業方法。
IPC (3件):
C21B 5/00 301 ,  C21B 5/02 ,  C21B 5/04
FI (3件):
C21B 5/00 301 ,  C21B 5/02 ,  C21B 5/04
Fターム (5件):
4K012BA01 ,  4K012BA03 ,  4K012BA07 ,  4K012BA08 ,  4K012BB07
引用特許:
審査官引用 (3件)

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