特許
J-GLOBAL ID：200903006770764479
半導体装置、及び接続構造形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-183420
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172125
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【目的】コンタクト抵抗の低減を実現して素子の高速化を図ることができる半導体装置、及び接続構造の形成方法であって、接合リーク増大の問題や、不充分な抵抗低減しかできないという問題なく、かつ、信頼性高く、容易に実現可能な技術の提供。【構成】本発明の半導体装置は、基板1上に形成した接続孔21,22の底部に、接続孔21,22底部よりも広い金属シリサイド部31,32を形成し、かつこの金属シリサイド部31,32は、拡散領域41,42の一部分に形成したものである構造を有する装置であり、本発明の配線構造形成方法は、基板1上に接続孔21,22を形成し、この接続孔21,22に金属層51,52を形成して、少なくとも接続孔21,22底部にシリサイド部31,32を形成し、その後、接続孔21,22の側壁に絶縁膜61,62を形成し、この接続孔21,22を導電材料71,72で埋め込み接続をとる構成としたものであって、これにより容易に、コンタクト抵抗の低減とそれによる素子の高速化を、信頼性良好に達成するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
基板上に形成した接続孔の底部に、接続孔底部よりも広い金属シリサイド部を形成し、かつこの金属シリサイド部は、拡散領域の一部分に形成したものである構造を有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
, H01L 21/28
