特許

J-GLOBAL ID：200903006772827079

半導体装置

発明者： 山本 宗是
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機製作所
代理人 (1件)： 大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-168631
公開番号（公開出願番号）：特開平9-022997
出願日： 1995年07月04日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】【目的】 高耐圧の半導体装置において、封止材中の可動電荷の影響によって生じる耐圧変動を防ぐ。【構成】 n+ 半導体基板(カソード領域)1の上面にn- エピタキシャル層2を形成し、その表面領域にp+ アノード領域3を形成する。n- エピタキシャル層2の表面領域において、p+ アノード領域3を2重に取り囲むように、p+ FLR(Field Limited Ring)4およびp+ FLR5をが形成する。p+ アノード領域3とp+ FLR4との間のn- エピタキシャル層2の表面領域にn領域21設ける。n領域21は、n- エピタキシャル層2と比べて、その不純物濃度が高い。

請求項（抜粋）：

第1の導電型の第1の半導体領域の表面部に、第2の導電型の第2の半導体領域および該第2の半導体領域から所定間隔を隔てながら該第2の半導体領域を取り囲むように第2の導電型の第3の半導体領域を形成した半導体装置において、上記第1の半導体領域の表面部において、上記第2の半導体領域と上記第3の半導体領域との間の領域に、上記第1の半導体領域よりも高い不純物濃度の第1の導電型の第4の半導体領域を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 29/06 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/74 F ,  H01L 29/91 D