特許

J-GLOBAL ID：200903006779019903

半導体酸化膜の形成方法

発明者： 加藤 弘一 ,  渡部 平司
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-081628
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283977
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】 酸化膜と半導体の界面をより平坦で均一にすることを可能とする半導体酸化膜の形成方法を提供すること。【解決手段】 半導体表面を酸素分子ガスとの化学反応によって酸化し、原子レベルの多層酸化膜を形成する半導体酸化膜の形成方法において、半導体と反応しないガスと酸素分子ガスを含む雰囲気の下で、表面より一層毎に酸化反応を行い、その一層毎の酸化反応が終了する度に、半導体と反応しないガスに対する酸素分子ガスの分圧比若しくは半導体表面の温度、又は双方を、酸化膜の成長とともに上昇させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体表面を酸素分子ガスとの化学反応によって酸化し、原子レベルの多層酸化膜を形成する半導体酸化膜の形成方法において、半導体と反応しないガスと酸素分子ガスを含む雰囲気の下で、表面より一層毎に酸化反応を行い、その一層毎の酸化反応が終了する度に、半導体と反応しないガスに対する酸素分子ガスの分圧比若しくは半導体表面の温度、又は双方を、酸化膜の成長とともに上昇させることを特徴とする半導体酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 301 G