特許

J-GLOBAL ID：200903006779712250

露光用マスクと露光方法

発明者： 高島 大三郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118612
公開番号（公開出願番号）：特開平8-314112
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 メモリセルアレイとセンスアンプ部におけるルールが厳しい所で常に位相を異ならせることができ、露光精度の向上に寄与し得る位相シフトマスクを提供する。【構成】 ワード線WLとビット線BLの交差位置の半分にメモリセルを配置してなるセルアレイを有し、セルアレイ側のBLはそれぞれ選択トランジスタφTを介して、2本を対とするセンスアンプ側のBLに接続される半導体記憶装置のパターン露光に供される露光用マスクであり、露光光を遮る遮光部分の一部に露光光を透過する開口パターン(透過部分)を設け、透過部分に透過光の位相をずらすための位相シフタを選択的に設けた位相シフトマスクにおいて、φTを挟んでセルアレイ側のBLとセンスアンプ側のBLに相当する各透過部分とに対し、一方には位相シフタを設け他方には位相シフタを設けていない。

請求項（抜粋）：

複数本のワード線と複数本のビット線との交差位置にメモリセルを選択的に配置してなるセルアレイを有し、セルアレイ側のビット線はそれぞれ選択トランジスタを介して、2本を対とするセンスアンプ側のビット線に接続される半導体記憶装置のパターン露光に供される露光用マスクであって、露光光を透過する透過部分と露光光を遮る遮光部分とからなり、透過部分に透過光の位相をずらすための位相シフタを選択的に設けた露光用マスクにおいて、前記選択トランジスタの複数個のうちの一部で、該トランジスタを挟んでセルアレイ側のビット線に相当する透過部分とセンスアンプ側のビット線に相当する透過部分とに対し、一方には位相シフタを設け他方には位相シフタを設けていないことを特徴とする露光用マスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 27/10 681 B ,  H01L 27/10 681 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• フォトマスク設計方法及び設計装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-159318   出願人：株式会社東芝