特許

J-GLOBAL ID：200903006785448123

非還元性誘電体磁器の製造方法

発明者： 西 山 俊 樹 ,  浜 地 幸 生 ,  坂 部 行 雄
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-314139
公開番号（公開出願番号）：特開平5-124857
出願日： 1991年10月30日
公開日（公表日）： 1993年05月21日
要約：

【要約】【目的】 組織が均一で異相がなく、特性面でも特性値の標準偏差が小さく、信頼性試験においても不良発生が非常に少ない非還元性誘電体磁器を得るための、非還元性誘電体磁器の製造方法を得る。【構成】 BaTiO3 と、Tb2 O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O3 ,Er2 O3 の中から選ばれる少なくとも1種類と、Co2 O3 とを主成分とする材料を準備する。これらの材料のうち、BaTiO3 以外の主成分および副成分を予め混合粉砕し、平均粒子径を0.2〜1.0μmにして混合粉砕物を作製する。この混合粉砕物とBaTiO3 とを混合分散させて、磁器材料を得る。この磁器材料を成形,焼成して、非還元性誘電体磁器を得る。

請求項（抜粋）：

BaTiO3 と、Tb2 O3 ,Dy2 O3 ,Ho2 O3 ,Er2 O3 の中から選ばれる少なくとも1種類と、Co2 O3 とを主成分とする非還元性誘電体磁器の製造方法において、前記BaTiO3 以外の主成分および副成分を予め混合粉砕し、平均粒子径を0.2〜1.0μmにして混合粉砕物を作製する工程、および前記混合粉砕物と前記BaTiO3 とを混合分散させる工程を含むことを特徴とする、非還元性誘電体磁器の製造方法。

IPC (3件)：

C04B 35/46 ,  C04B 33/24 ,  H01B 3/12 303