半導体ウエハーのポリツシング方法とその装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334018
公開番号（公開出願番号）：特開平5-138530
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】被加工ウエハーの上面の平坦度にかかわらず、これを常に均等に押圧するとともに、加工中の定盤面の面振れに対しても対応できるウェハーのポリッシング方法と装置を提供する。【構成】半導体ウェハー2を下面に接着したプレート1を、定盤3に貼付した研磨クロス4上に載置し、上下動主軸10に吊下されたトップリング5で圧下してウェハー2をポリッシングする半導体ウエハーのポリッシング装置において、トップリング5はプレート1を圧下する円板状ヘッド6と、この中心に垂直に立設された中央軸7と、中央軸7を貫いてヘッド6上に積み重ねられた環状ウエイト8よりなり、上下動主軸10は下端に下方に向かって広がるトップリング支持部材11を有し、中央軸7は円筒状で、上方内部にトップリング支持部材11を収容し、かつ上端に上方に向かって狭くなったストッパー9を形成し、トップリング支持部材11の最大外径は中央軸7の円筒部の内径より小さいが、ストッパー9の内径より大きいことを特徴とする半導体ウエハーのポリッシング装置と方法である。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハーを下面に接着したプレートを、定盤に貼付した研磨クロス上に載置し、プレート上面を上下動主軸に保持されたトップリングにより圧下し、研磨クロス面にスラリーを供給しながら定盤とトップリングを回転させる半導体ウェハーのポリッシング方法において、トップリングは上下動主軸から切り離され自重によりプレート上面を圧下することを特徴とする半導体ウェハーのポリッシング方法。

IPC (3件)：

B24B 37/04 , B24B 37/00 , H01L 21/304 321

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭64-002857
特開昭63-144955

審査官引用 (2件)

特開昭64-002857
特開昭63-144955

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