特許

J-GLOBAL ID：200903006801786735

窒化物半導体基板及びその成長方法

発明者： 前川 仁志 ,  高曽根 徹 ,  三木 照仁
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-045525
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246322
出願日： 2001年02月21日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】基板上への窒化物半導体の成長であって、低欠陥であり、反りを緩和した窒化物半導体基板の成長方法を提供する。【解決手段】基板上に窒化物半導体を成長させる方法であって、基板上に第1の窒化物半導体を成長後、凹凸を形成し、熱処理、又は電磁波照射により分解面を形成し、第2の窒化物半導体を成長させる。

請求項（抜粋）：

基板上に、段差を有し凹部端面及び底面に分解面を有する第1の窒化物半導体と、前記第1の窒化物半導体の凸部上面から成長した第2の窒化物半導体とを有する窒化物半導体基板。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (20件)：

5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA42 ,  5F041CA46 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F045HA06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体構造とその製法および発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-216110   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-168079   出願人：日亜化学工業株式会社