金属膜作製方法及び金属膜作製装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-229413
公開番号（公開出願番号）：特開2003-328128
出願日： 2002年08月07日
公開日（公表日）： 2003年11月19日
要約：

【要約】【課題】成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中の不純物を可及的に低減し得る金属膜の作製における成膜反応を促進させる金属膜作製装置を提供する。【解決手段】銅板部材7と基板3との温度及び温度差を所定通に制御することにより、チャンバ1内のCl2 ガスプラズマで前記銅板部材7をエッチングしてCu成分とCl2 ガスとの前駆体を形成し、この前駆体のCu成分を基板3に析出させてCuの成膜を行う場合において、チャンバ1内に連通してCl2 ガスを流通させる通路24の励起室25でCl* を形成し、このCl* をチャンバ1内に供給することにより基板3に吸着状態となっている前記前駆体からCl2 ガスを引き抜いてCu膜の成膜反応を促進させるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

内部に基板を収容するチャンバに高蒸気圧ハロゲン化物を作る金属で形成した被エッチング部材を配設する一方、この被エッチング部材と前記基板の温度とを所定の温度及び温度差に制御することにより、前記チャンバ内のハロゲンを含有する原料ガスプラズマで前記被エッチング部材をエッチングして金属成分と原料ガスとの前駆体を形成し、この前駆体の金属成分を基板に析出させて所定の成膜を行う金属膜作製方法において、別途前記原料ガスのラジカルを形成し、この原料ガスラジカルを前記チャンバ内に補給することにより基板に吸着状態となっている前記前駆体から原料ガスを引き抜いて前記金属成分を基板に析出させ、所定の成膜を行うことを特徴とする金属膜作製方法。

IPC (3件)：

C23C 16/08 , C23C 16/50 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 16/08 , C23C 16/50 , H01L 21/285 C

Fターム (14件)：

4K030AA02 , 4K030BA01 , 4K030DA04 , 4K030EA01 , 4K030FA01 , 4K030FA07 , 4K030FA10 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD45

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