特許

J-GLOBAL ID：200903006812427338

裏面研削方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 安原 正典
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-069151
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273052
出願日： 2002年03月13日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハの裏面研削を行った後のチップ内の厚さバラツキを低減させた裏面研削方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る裏面研削方法は、半導体ウエハ10にレジストパターン22をマスクとしてバンプ19を形成する工程と、このバンプ及びレジストパターンの上に保護テープ15を貼り付ける工程と、この保護テープを真空吸着盤により真空吸着して半導体ウエハ10を保持する工程と、回転中の回転研削盤の表面に、真空吸着盤により保持している半導体ウエハ10の裏面を押圧することにより、該半導体ウエハの裏面を研削する工程と、を具備するものである。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハにレジストパターンをマスクとしてバンプを形成する工程と、このバンプ及びレジストパターンの上に保護テープを貼り付ける工程と、この保護テープを真空吸着盤により真空吸着して半導体ウエハを保持する工程と、回転中の回転研削盤の表面に、真空吸着盤により保持している半導体ウエハの裏面を押圧することにより、該半導体ウエハの裏面を研削する工程と、を具備することを特徴とする裏面研削方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 21/304 631 ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/92 602 N