特許
J-GLOBAL ID：200903006816244874
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-013567
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211288
出願日： 1992年01月29日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】デバイス・プロセス誘起の結晶欠陥の発生を抑制し、高品質且つ大容量値を可能とする積層型のキャパシタを有する半導体装置を提供する。【構成】半導体基板上に絶縁膜を介して設けた下部電極4,この下部電極の側面及び上面を被覆する容量絶縁膜5,並びにこの上に形成された対向電極6により構成した積層型のキャパシタにおいて、下部電極4、或いは対向電極6を多結晶シリコン・ゲルマニウム合金薄膜で形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介して設けられた下部電極と、この下部電極の側面及び上面を被覆する誘電体膜と、この誘電体膜上に形成された対向電極とを備えた半導体装置において、前記下部電極または前記対向電極が多結晶シリコン・ゲルマニウム合金膜で形成されていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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