特許
J-GLOBAL ID：200903006816761240
スタッドバンプの形成方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-192931
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031182
出願日： 1998年07月08日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 接合後に不要になった、金属スタッド周囲の金属箔を、確実に、かつ効率よく除去することを可能とするスタッドバンプの形成方法および装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体チップの電極パッド上に金属箔を間に介して金属スタッドを配置する工程と、前記電極パッド、金属箔および金属スタッドを接合する工程と、前記電極パッドと金属スタッドとの間に介在する前記金属箔の周辺部分に、圧力差により生ずる力を付与し、前記周辺部分を前記半導体チップから除去する工程とを具備することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体チップの電極パッド上に金属箔を間に介して金属スタッドを配置する工程と、前記電極パッド、金属箔および金属スタッドを接合する工程と、前記電極パッドと金属スタッドとの間に介在する前記金属箔の周辺部分に、圧力差により生ずる力を付与し、前記周辺部分を前記半導体チップから除去する工程とを具備することを特徴とするスタッドバンプの形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 J
, H01L 21/92 604 Z
