特許
J-GLOBAL ID：200903006819137556
III族窒化物系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-174912
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368265
出願日： 2001年06月08日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 発光層で発光される光の一部を波長変換し、発光層で発光される光と異なる発光色の発光が可能なIII族窒化物系化合物半導体発光素子であって、製造コストが低く、品質むらが生じにくく、更には高効率で発光する新規な構成のものを提供する。【解決手段】 基板とIII族窒化物系化合物半導体からなる発光層との間に、発光層よりもバンドギャップエネルギーの小さな光励起半導体層を設ける。光励起半導体層は発光層からの光を受けて該光よりも波長の長い光を発光する。
請求項（抜粋）：
基板と、III族窒化物系化合物半導体からなる発光層と、III族窒化物系化合物半導体からなり、前記発光層で発光した光を受けて該光よりも波長の長い光を発光する光励起半導体層と、を備えるIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
Fターム (12件)：
5F041AA11
, 5F041AA12
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA50
, 5F041CA57
, 5F041CA88
, 5F041CB36
