特許

J-GLOBAL ID：200903006820051460

化合物半導体素子の製造方法

発明者： 安居院 高明 ,  高本 達也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-326947
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140232
出願日： 2004年11月10日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：

【課題】 化合物半導体素子のエピタキシャル成長に用いた支持基板を除去するために要するコストの低減する。【解決手段】 本発明の化合物半導体素子の製造方法は、支持基板と化合物半導体素子と接合している接着物を冷却する冷却分離工程を含んでいるから、支持基板から化合物半導体素子を分離するために要する時間を従来よりも短縮することができる。これにより、化合物半導体素子を支持基板から除去するためのコストを従来よりも削減することが可能になる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

支持基板と化合物半導体素子とを接合している接着物を冷却し、支持基板と化合物半導体とを分離する冷却分離工程を含んでいることを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 E ,  H01L31/04 F

Fターム (3件)：

5F051AA08 ,  5F051CB10 ,  5F051CB30