特許

J-GLOBAL ID：200903006821791220

ルテニウム膜のエッチング方法

発明者： 芝野 照夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-010976
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205183
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 酸素と塩素の混合ガスプラズマによるルテニウム膜のエッチングにおいて、エッチング側面および表面の凹凸の発生を低減でき、しかもエッチングのテーパー形状を垂直に近づけ、微細パターンを形成できる方法を提供する。【解決手段】 酸素と塩素の混合ガスプラズマによるRu膜のエッチング方法において、エッチング室内でのガスの滞在時間が45msec以下となるように混合ガスの総流量を増大させ、あるいは被エッチング面積を試料面の40%以下とし、酸化度の低い酸化Ruの発生を低減、再付着を低減する。また、混合ガスにフッ素化合物ガスを全流量の10%以下添加しシリコン酸化膜の再付着を低減する。

請求項（抜粋）：

塩素と酸素を含む混合ガスプラズマによりルテニウム膜をエッチングする方法において、エッチング室内でのガスの滞在時間が45msec以下となるように上記混合ガスの総流量を調整することを特徴とするルテニウム膜のエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高誘電率を有する多元系酸化物膜のエッチング方法、高融点金属含有膜のエッチング方法、薄膜キャパシタ素子の製造方法およびその方法を実施するためのプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-302703   出願人：三菱電機株式会社
• ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-065742   出願人：株式会社日立製作所