特許

J-GLOBAL ID：200903006825407824

半導体装置

発明者： 佐藤 信三
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-153548
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008291
出願日： 1995年06月20日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 絶縁ゲート型電界効果トランジスタに関し、ソース・ドレイン間に大きな電流を流すことができ、また集積回路のより一層の高集積化が可能な半導体装置を提供する。【構成】 半導体層2上に、上側及び下側表面にゲート絶縁膜8が形成された帯状のゲート電極7と半導体層10とが順に積層されており、各半導体層2,10はゲート電極7の両横にソース/ドレイン領域4,5が形成されている。

請求項（抜粋）：

第1の半導体層上にゲート絶縁膜を介して形成された帯状のゲート電極と、該ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して積層された第2の半導体層とを有し、前記各半導体層には前記ゲート電極の両側部にソース/ドレイン領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P