特許

J-GLOBAL ID：200903006826972860

基板表面のプラズマ洗浄方法とウエハのフオトレジスト・プラズマ洗浄方法と基板表面の洗浄装置

発明者： ブラツド・エス・マツトソン ,  ラルフ・エス・マーテイン
出願人/特許権者： マツトソン・テクノロジー・インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-143980
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121386
出願日： 1991年05月20日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体ウエハのような基板の表面から高分子有機物のフォトレジスト及び汚染物質を除去するための方法。【構成】約0.150未満の好適な操作電力対圧力比(電力はプラズマの単位体積(cm3)当りのワット数で、かつ圧力はトル単位で測定したもの)を使用する。10〜50トルの操作圧力及び陰極毎に200〜500ワットの入力電力を用いて、基板への放射線損失を最小にし、かつ遠隔式プラズマ発生方法を使用する必要性を回避することができる。【効果】脱イオン水による洗浄のみを必要とすることから、剥離後の残留物(有機物及び/または無機物)によるデバイスの汚染が最小になる。また、処理時間が減少する。

請求項（抜粋）：

基板の表面から不要な物質を除去するためのプラズマ洗浄方法であって、(a)電磁放射発生源を有する反応室内に基板を配置する過程と、(b)前記反応室内にプラズマ発生ガスを導入する過程と、(c)前記電磁放射発生源からの十分な電力の電磁放射に前記プラズマ発生ガスを暴露させて、前記基板の表面に接触するプラズマを発生させる過程と、(d)前記反応室内の操作圧力を、前記プラズマを発生させるために使用されかつ該プラズマの単位体積(cm3)当りのワット数で測定される電力のトル単位で測定される前記操作圧力に対する比が約0.150未満であるように、維持する過程とからなることを特徴とする基板表面のプラズマ洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-039523
  
• 特開平2-130826
  
• 特開平2-052084