歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、及び半導体基板と電界効果型トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：志賀正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-165690
公開番号（公開出願番号）：特開2002-359188
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：

【要約】【課題】歪みSi層の形成方法と電界効果型トランジスタの製造方法、及び半導体基板と電界効果型トランジスタにおいて、良質な歪みSi層を従来より厚く成膜すること。【解決手段】 Si基板上にSiGeバッファ層3を介して歪みSi層4を形成する方法であって、前記Si基板上に前記SiGeバッファ層を成膜する工程と、該SiGeバッファ層表面を研磨して該表面の少なくともクロスハッチ状の凹凸を平坦化する工程と、平坦化された前記SiGeバッファ層上に直接又は他のSiGe層を介して歪みSi層をエピタキシャル成長する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

Si基板上にSiGeバッファ層を介して歪みSi層を形成する方法であって、前記Si基板上に前記SiGeバッファ層を成膜する工程と、該SiGeバッファ層表面を研磨して該表面の少なくともクロスハッチ状の凹凸を平坦化する工程と、平坦化された前記SiGeバッファ層上に直接又は他のSiGe層を介して歪みSi層をエピタキシャル成長する工程とを有することを特徴とする歪みSi層の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/161 , H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/205 , H01L 29/78 301 B , H01L 29/163

Fターム (30件)：

5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045CA05 , 5F045DA53 , 5F045DA58 , 5F045GH06 , 5F052DA01 , 5F052DA03 , 5F052EA15 , 5F052JA01 , 5F052KA01 , 5F052KA05 , 5F140AA01 , 5F140AA15 , 5F140AB01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BC12 , 5F140BC19 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BK13 , 5F140CD01 , 5F140CD06 , 5F140CE05

引用特許：

審査官引用 (6件)

傾斜GeSi層と平坦化を用いたゲルマニウム・オン・シリコンの貫通転位の制御
公報種別：公表公報出願番号：特願平11-505004 出願人：マサチューセッツインスティチュートオブテクノロジー
歪シリコン電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-238755 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-135037 出願人：株式会社東芝

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