特許

J-GLOBAL ID：200903006832008013

単結晶SiCの育成方法

発明者： 山田 益三 ,  谷野 吉弥 ,  前田 利久 ,  平本 雅信
出願人/特許権者： 日本ピラー工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-071736
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264791
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：

【要約】【課題】 飛行空間での活性原子の衝突結合による粉体結晶の生成及びマイクロパイプ欠陥等の発生が少ない高品質の単結晶SiCを非常に効率よく育成することができるようにする。【解決手段】 プラズマ溶射ガンにおけるアノード1とカソード2間に直流電圧を印加することで発生するアーク放電領域3に供給される不活性なArガスをその外部から冷却することによりノズル部5から高温のプラズマジェット炎PJを噴出させる一方、カソード2の中心部またはその近傍部に導入されるシリコン、カーボン原料を高温なアーク放電領域3で分解して生成される活性なシリコン及びカーボン原子をプラズマジェット炎PJと共に音速に近い速度で噴出させ、この噴出されるプラズマジェット炎PJ中に配置したSiC単結晶基板7を1800〜2500°Cの温度範囲になるように保持することにより、SiC単結晶基板7の表面上に単結晶を育成させる。

請求項（抜粋）：

アノードとカソードからなる電極間に直流電圧を印加することで電気アークを発生するアーク放電領域に不活性な導電性ガスを供給し、かつ、その外部を冷却することによりノズル部から高温のプラズマジェット炎を噴出させるように構成されたプラズマ溶射ガンのカソードの中心部またはその近傍部にシリコン、カーボン原料を導入して上記高温領域を経て分解させることによって活性なシリコン原子、カーボン原子を生成させ、これら活性なシリコン原子、カーボン原子を上記プラズマジェット炎と共にノズル部から噴出させ、その噴出されるプラズマジェット炎中に種結晶となる炭化珪素(SiC)単結晶基板を配置して該SiC単結晶基板を1800〜2500°Cの温度範囲になるように保持することにより、SiC単結晶基板の表面上に単結晶を育成させることを特徴とする単結晶SiCの育成方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DB02 ,  4G077DB04 ,  4G077DB06 ,  4G077DB07 ,  4G077DB17 ,  4G077EA02