特許

J-GLOBAL ID：200903006833319870

多層セラミック基板

発明者： 須郷 公英
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 小柴 雅昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286560
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111222
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 多層セラミック基板において、コンデンサ素子やインダクタ素子を内蔵しながら、ビアホール導体を形成して高密度配線を実現したとき、ビアホール導体とコンデンサ電極またはインダクタ導体との間で結合が生じ、浮遊容量が発生する。【解決手段】 たとえば誘電体セラミック材料を含む素子用セラミック層13を貫通するように設けられるビアホール導体22の周囲において、素子用セラミック層13の一部を、絶縁体31によって構成する。この絶縁体31の存在により、ビアホール導体22とコンデンサ電極16〜19との結合の度合いを弱め、これらの間で発生する浮遊容量を低減する。

請求項（抜粋）：

低温焼結セラミック材料を含む、複数の基体用セラミック層と、前記基体用セラミック層の特定のものに接するように配置され、前記低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼結しない誘電体または磁性体セラミック材料を含み、かつ前記基体用セラミック層に含まれる材料の一部が浸透している、素子用セラミック層と、前記素子用セラミック層に関連して形成されるコンデンサ電極またはインダクタ導体と、前記素子用セラミック層を貫通するように設けられるビアホール導体とを備え、前記ビアホール導体の周囲において、前記素子用セラミック層の一部が、前記誘電体または磁性体セラミック材料とは異なる、前記低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼結しない絶縁体セラミック材料を含み、かつ前記基体用セラミック層に含まれる材料の一部が浸透している、絶縁体によって構成されている、多層セラミック基板。

FI (4件)：

H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 S

Fターム (6件)：

5E346AA43 ,  5E346CC16 ,  5E346CC21 ,  5E346FF45 ,  5E346HH01 ,  5E346HH07