特許

J-GLOBAL ID：200903006833443511

強誘電体メモリ

発明者： 松野 勝己 ,  中込 儀延 ,  竹内 幹 ,  堀口 真志 ,  衛藤 潤 ,  青木 正和
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 磯村 雅俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330863
公開番号（公開出願番号）：特開平7-192476
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、製造が容易でSN比が高く高集積化に適した不揮発性強誘電体メモリを提供することにある。【構成】 論理1,0の信号電位を基に参照電位生成部102により参照電位を生成し、電位記憶部103に記憶する。読み出し動作において、記憶した電位を基に電位供給部104を介して参照電位を一方のデータ線に発生させ、他方のデータ線に読み出した信号電位とを比較することにより情報を検出する。このような構成とすることにより、読み出し動作時のダミーセルの分極反転を回避できるので、膜疲労による劣化を抑制できる。また参照電位生成においてメモリセルと同じ構造・サイズのダミーセルを適用できるので、製造が容易で特性ばらつきが小さくなり、高精度の参照電位を発生できる。

請求項（抜粋）：

強誘電体キャパシタの分極を用いて論理「1」もしくは論理「0」を記憶する複数のメモリセルからなるメモリセルアレイと、上記メモリセルの上記論理「1」と論理「0」に対応する信号電位の中間にある参照電位を発生する参照電位発生手段とを具備し、上記メモリセルに書き込まれた論理「1」もしくは論理「0」の読み出し時に、上記参照電位発生手段が発生させた参照電位と上記メモリセルにより発生された信号電位との差に基づき、上記メモリセルが記憶した論理「1」もしくは論理「0」のいずれかを情報として出力する強誘電体メモリにおいて、上記参照電位発生手段は、予め、論理「1」に対応する信号電位と論理「0」に対応する信号電位とに基づき上記参照電位を生成する参照電位生成手段と、該参照電位生成手段で生成した参照電位あるいは該参照電位を再現するための情報を記憶する電位記憶手段と、上記参照電位生成手段による上記参照電位の生成後に上記メモリセルに書き込まれた論理「1」もしくは論理「0」の読み出し時に、上記メモリセルにより発生された信号電位の検出用に、上記電位記憶手段により再現された参照電位あるいは該参照電位を再現するための電位を出力する電位供給手段とを具備することを特徴とする強誘電体メモリ。

IPC (7件)：

G11C 14/00 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 11/34 352 A ,  H01L 27/10 325 J ,  H01L 29/78 371