特許

J-GLOBAL ID：200903006833966212

半導体薄膜の結晶化方法および薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 高徳 真人 ,  増島 拓也 ,  林 久雄 ,  浅野 明彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-320934
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124118
出願日： 2001年10月18日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 異なる構造部分を有する基板上に形成された半導体薄膜において、一括して所定の大きさ以上の結晶粒径が得られる半導体薄膜の結晶化方法および薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板11とゲート電極12との上方にゲート酸化膜13を介して形成された半導体薄膜14に対してエキシマレーザ光31を照射して結晶化する半導体薄膜の結晶化方法および薄膜トランジスタの製造方法であって、半導体薄膜14において、所定の大きさ以上の結晶粒径が得られるエキシマレーザ光31のエネルギー密度の範囲が広がるように絶縁基板11を加熱した状態で、照射領域が長尺状に成形されたエキシマレーザ光31を半導体薄膜14の幅方向にわたって照射するとともに、エキシマレーザ光31を半導体薄膜14の幅方向に対して垂直な方向に相対的に走査させる。

請求項（抜粋）：

異なる構造部分を有する基板上に形成された半導体薄膜に対してレーザ光を照射して結晶化する半導体薄膜の結晶化方法であって、前記基板の各構造部分上の前記半導体薄膜において、一括して所定の大きさ以上の結晶粒径が得られる前記レーザ光のエネルギー密度の範囲が広がるように前記基板を加熱した状態で、照射領域が長尺状に成形された前記レーザ光を前記半導体薄膜の幅方向にわたって照射するとともに、当該レーザ光を前記半導体薄膜の幅方向に対して垂直な方向に相対的に走査させることを特徴とする半導体薄膜の結晶化方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (37件)：

5F052AA02 ,  5F052AA12 ,  5F052AA24 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052JA02 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC08 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP23