特許
J-GLOBAL ID：200903006837817009

半導体記憶装置

発明者：
野島 武

野島 武 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-033765
公開番号（公開出願番号）：特開2007-213719
出願日： 2006年02月10日
公開日（公表日）： 2007年08月23日
要約：
【課題】 多値のデータに対してメモリセルの閾値を確実にプログラムの行いたい所定の範囲に設定することができ、データの書き込みおよび読み出しに対する信頼性が高い半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明に係わる書き込み、またはイレース状態を検証する検証回路は、第1のリファレンスセルとメモリセルの閾値電圧を比較する第1のセンスアンプと、第2のリファレンスセルとメモリセルの閾値電圧を比較する第2のセンスアンプとを有し、前記第1のセンスアンプと前記第2のセンスアンプに入力される電位差の違いによる前記2つのセンスアンプの応答速度を比較する比較手段を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体記憶装置の多値型メモリセルの書き込み、またはイレース状態を検証する検証回路であって、第1のリファレンスセルとメモリセルの閾値電圧を比較する第1のセンスアンプと、第2のリファレンスセルとメモリセルの閾値電圧を比較する第2のセンスアンプとを有することを特徴とする検証回路。
IPC (2件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/02
FI (3件)：
G11C17/00 634E ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 641
Fターム (15件)：
5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA01 ,  5B125CA14 ,  5B125DB09 ,  5B125DB19 ,  5B125DC08 ,  5B125EA01 ,  5B125EE05 ,  5B125EE09 ,  5B125EE10 ,  5B125EJ08 ,  5B125EJ09 ,  5B125EJ10 ,  5B125FA05
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特開昭59-104796号公報
  • 不揮発性半導体メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-288330   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (4件)
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