特許

J-GLOBAL ID：200903006840135717

白色半導体発光装置の製造方法

発明者： 小原 邦彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-325331
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134792
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 発光素子の周り全体に一様な厚さの波長変換層を形成でき純粋な白色発光が得られる白色半導体発光装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 基板材1に形成した電極パターン2,3にバンプ電極2a,3aを形成する工程と、青色発光の発光素子4をフリップチップ型としてバンプ電極2a,3aを介して電極パターン2,3に導通搭載する工程と、発光素子4の両端面からの距離を一様とするパターンで基板材1にメタルマスク20を被せる工程と、メタルマスク20のパターンを利用して蛍光物質を含む波長変換樹脂21をスクリーン印刷法によって印刷形成する工程と、波長変換樹脂21を含んで樹脂のパッケージ層22で封止する工程と、1個ずつの発光素子4を含むようにダイシングする工程によって、白色半導体発光装置を得る。

請求項（抜粋）：

基板材に形成した電極パターンにバンプ電極を形成する工程と、青色発光の発光素子をフリップチップ型として前記バンプ電極を介して前記電極パターンに導通搭載する工程と、前記発光素子の両端面からの距離を一様とするパターンで前記基板材にメタルマスクを被せる工程と、前記メタルマスクのパターンを利用して蛍光物質を含む波長変換樹脂をスクリーン印刷法によって印刷形成する工程と、前記波長変換樹脂を含んで樹脂のパッケージ層で封止する工程と、1個ずつの発光素子を含むようにダイシングする工程とからなることを特徴とする白色半導体発光装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 23/30 B

Fターム (21件)：

4M109AA02 ,  4M109BA04 ,  4M109CA01 ,  4M109CA12 ,  4M109DB16 ,  4M109EA02 ,  4M109EB18 ,  4M109EC11 ,  4M109EE12 ,  4M109EE15 ,  4M109GA01 ,  5F041AA14 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041DA09 ,  5F041DA17 ,  5F041DA43 ,  5F041DA56 ,  5F041DA58 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25