特許
J-GLOBAL ID：200903006841077095
受光素子を含む半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-172952
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331080
出願日： 1996年06月12日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 同一半導体基板に混載されるバイポーラ素子の特性の最適化を図りつつ、受光感度が高くかつ周波数特性に優れたフォトダイオード構造を得る。【解決手段】 アノードコモンタイプフォトダイオード形成領域2でのPN接合は低濃度のP- エピタキシャル層14およびN- エピタキシャル層17からなるため、空乏層幅が十分拡く空乏層容量を下げ得る。P+ 埋込み層13の上にはP- エピタキシャル層14を介してN- エピタキシャル層17が配置され、バイポーラ素子形成領域4では、N+ 埋込み層12の上にN- エピタキシャル層17が直接配置される。バイポーラ素子とフォトダイオードのそれぞれについて最適な厚さのエピタキシャル層を形成でき、バイポーラ素子およびフォトダイオードにそれぞれ要求される特性を同時に満足させることができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1導電型半導体と第2導電型半導体との接合部を有する受光素子を含む半導体装置であって、前記第1導電型半導体は、第1導電型半導体基板上に設けられた第1導電型高濃度拡散層と、この第1導電型高濃度拡散層上に設けられた第1導電型低濃度エピタキシャル層とから構成され、前記第2導電型半導体は、前記第1導電型低濃度エピタキシャル層上に設けられた第2導電型エピタキシャル層と、この第2導電型エピタキシャル層の上部に設けられた第2導電型拡散層とから構成されていることを特徴とする受光素子を含む半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 31/10
, H01L 27/14
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 31/10 A
, H01L 27/14 Z
, H01L 29/72
