特許
J-GLOBAL ID:200903006856028228

圧電磁器組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 上野 登
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-254909
公開番号(公開出願番号):特開2002-068835
出願日: 2000年08月25日
公開日(公表日): 2002年03月08日
要約:
【要約】【課題】 機械的品質係数Qmが高く、誘電損失tanδの初期値の小さい(K1-xNax)NbO3系の圧電磁器組成物を提供すること。また、誘電損失tanδの長期安定性に優れた(K1-xNax)NbO3系の圧電磁器組成物を提供すること。【解決手段】 本発明に係る圧電磁器組成物は、一般式:{(K1-xNax)1-yAgy}NbO3-z[Mα+][O2-]α/2で表される組成を有している。但し、0≦x<1、0≦y≦0.1、0≦z≦0.05、y+z>0。Mは、Mn、Mg、In、Si、Ga、Sbの内の少なくとも一種以上の金属元素。αは、金属元素Mの平均価数。
請求項(抜粋):
一般式{(K1-xNax)1-yAgy}NbO3-z[Mα+][O2-]α/2(但し、0≦x<1、0≦y≦0.1、0≦z≦0.05、y+z>0。Mは、Mn、Mg、In、Si、Ga、Sbの内の少なくとも一種以上の金属元素。αは、金属元素Mの平均価数。)で表される圧電磁器組成物。
IPC (3件):
C04B 35/495 ,  G01L 1/16 ,  H01L 41/187
FI (3件):
G01L 1/16 A ,  C04B 35/00 J ,  H01L 41/18 101 J
Fターム (11件):
4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA07 ,  4G030AA20 ,  4G030AA25 ,  4G030AA30 ,  4G030AA34 ,  4G030AA37 ,  4G030AA42 ,  4G030BA10 ,  4G030GA09
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 圧電磁器組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-248728   出願人:株式会社村田製作所
  • 特開昭49-056198
  • 特開昭51-010398
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審査官引用 (8件)
  • 圧電磁器組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-035715   出願人:株式会社村田製作所
  • 圧電磁器組成物
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-248728   出願人:株式会社村田製作所
  • 特開昭49-056198
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引用文献:
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