特許

J-GLOBAL ID：200903006856028228

圧電磁器組成物

発明者： ▲斎▼藤 康善
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 上野 登
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-254909
公開番号（公開出願番号）：特開2002-068835
出願日： 2000年08月25日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】 機械的品質係数Qmが高く、誘電損失tanδの初期値の小さい(K<SB></SB><SB>1-x</SB>Na<SB>x</SB>)NbO<SB>3</SB>系の圧電磁器組成物を提供すること。また、誘電損失tanδの長期安定性に優れた(K<SB>1-x</SB>Na<SB>x</SB>)NbO<SB>3</SB>系の圧電磁器組成物を提供すること。【解決手段】 本発明に係る圧電磁器組成物は、一般式:{(K<SB>1-x</SB>Na<SB>x</SB>)<SB>1-y</SB>Ag<SB>y</SB>}NbO<SB>3</SB>-z[M<SP>α+</SP>][O<SP>2-</SP>]<SB>α/2</SB>で表される組成を有している。但し、0≦x<1、0≦y≦0.1、0≦z≦0.05、y+z>0。Mは、Mn、Mg、In、Si、Ga、Sbの内の少なくとも一種以上の金属元素。αは、金属元素Mの平均価数。

請求項（抜粋）：

一般式{(K<SB>1-x</SB>Na<SB>x</SB>)<SB>1-y</SB>Ag<SB>y</SB>}NbO<SB>3</SB>-z[M<SP>α+</SP>][O<SP>2-</SP>]<SB>α/2</SB>(但し、0≦x<1、0≦y≦0.1、0≦z≦0.05、y+z>0。Mは、Mn、Mg、In、Si、Ga、Sbの内の少なくとも一種以上の金属元素。αは、金属元素Mの平均価数。)で表される圧電磁器組成物。

IPC (3件)：

C04B 35/495 ,  G01L 1/16 ,  H01L 41/187

FI (3件)：

G01L 1/16 A ,  C04B 35/00 J ,  H01L 41/18 101 J

Fターム (11件)：

4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA07 ,  4G030AA20 ,  4G030AA25 ,  4G030AA30 ,  4G030AA34 ,  4G030AA37 ,  4G030AA42 ,  4G030BA10 ,  4G030GA09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 圧電磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-035715   出願人：株式会社村田製作所
• 圧電磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-248728   出願人：株式会社村田製作所
• 特開昭49-056198
  
• 特開昭51-010398
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ON ACTIVATED SINTERING AND ELECTRICAL PROPERTIES OF NaKNbO3