特許
J-GLOBAL ID：200903006856799453
露光マスク
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294540
公開番号（公開出願番号）：特開平5-061183
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 転写装置の解像限界を向上せしめると共に、一定の光量で忠実なパターン転写を行うことのできる露光マスクおよびその製造方法を提供する。【構成】 本発明の第1の露光マスクでは、ある範囲の寸法をもつマスクパターンでは、遮光膜パターンの代わりに、半透明膜パターンを用いる。また本発明の第2の露光マスクでは、露光光に対する光路長が異なるように構成されたシフト膜と、この膜の上層または下層に形成されたマスク基板と露光光に対して所定の透過率を有するように構成された透過率調整層としての半透明膜との積層構造で構成する。本発明の第3では位相シフタを構成する材料の振幅透過率を調整することにより、コントラスト向上に効果的なシフタ幅を大きくし、シフタ幅に必要とされる精度を緩和する。
請求項（抜粋）：
透光性基板と、前記透光性基板上に配設された遮光性材料からなるマスクパターンとを具備した露光用マスクにおいて、マスクパターンとして、露光光に対する光路長が異なるように構成された半透明膜パターンを含むようにしたことを特徴とする露光用マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
