遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩野平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211370
公開番号（公開出願番号）：特開2001-042535
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ-ション本来の性能向上技術の課題を解決された遠紫外腺露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、具体的には、現像欠陥の発生が少なく、得られるレジストパターンプロファイルが優れた遠紫外線露光用ポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、特定の脂環式炭化水素構造を含む繰り返し単位を含有し、酸の作用により分解しアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、ならびにフッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤、を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物が提供される。

請求項（抜粋）：

(イ)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、ならびに(ロ)下記一般式(I)及び(II)で表される脂環式炭化水素構造を含む基の群から選択される基を少なくとも1つ含み、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増加する樹脂、並びに(ハ)フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤、を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。【化1】一般式(I)及び(II)中;R1は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基又はsec-ブチル基を表し、ZAは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。R2〜R3は、各々独立に、炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基を表し、ZBは、2価もしくは3価の脂環式炭化水素基を表す。a、bは各々独立に1または2を表す。

IPC (7件)：

G03F 7/039 601 , C08F 20/28 , C08K 5/00 , C08L 83/04 , C08L101/06 , G03F 7/004 504 , H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 7/039 601 , C08F 20/28 , C08K 5/00 , C08L 83/04 , C08L101/06 , G03F 7/004 504 , H01L 21/30 502 R

Fターム (48件)：

2H025AA00 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC04 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J002BG011 , 4J002BG071 , 4J002CH052 , 4J002EN136 , 4J002EQ016 , 4J002ES006 , 4J002EU106 , 4J002EU186 , 4J002EU206 , 4J002EV236 , 4J002EV266 , 4J002EV296 , 4J002EV306 , 4J002EW006 , 4J002EW176 , 4J002FD312 , 4J002GP03 , 4J100AJ02R , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AM21R , 4J100BA02R , 4J100BA03R , 4J100BA08R , 4J100BA12R , 4J100BA15Q , 4J100BA28R , 4J100BA30R , 4J100BA50R , 4J100BA55R , 4J100BA58R , 4J100BC07P , 4J100BC07R , 4J100BC49R , 4J100BC53Q

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