特許
J-GLOBAL ID：200903006866941746
不揮発性メモリのゲート酸化物層評価方法およびその試験装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-272484
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007140
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】 各セルが相互に並列に電気的に接続される以外はゲート酸化物層の品質が決定されるメモリアレイと同一の試験装置を用いる方法を得る。【構成】 試験装置(10)は欠陥のあるセルのフローティングゲート領域から電子を抽出するようにストレスを電気的に印加され、そのため、帯電されていない欠陥のないセルの電荷が残っている間セルの特性を変更する。この方法では、欠陥のあるセルのスレッショルドのみが変更される。次いで、試験装置(10)にスレッショルドより低い電圧が印加れ、セルを通る装置内の少なくとも1つの欠陥のあるセルの存在に関連するドレイン電流が測定される。欠陥のあるセルの数を決定するために電流-電圧特性の測定および分析を行う。この方法はEPROM、EEPROMおよびフラッシュEEPROMメモリのゲート酸化物の並列品質制御に適当である。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの欠陥のある試験セル(100)のフローティングゲート領域から電子を抽出するようなストレスを印加するステップと、続いて上記試験セルの特性を測定するステップとを含むことを特徴とする不揮発性メモリのゲート酸化物層評価方法。
IPC (6件)：
H01L 27/115
, G11C 16/06
, G11C 29/00 303
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, G11C 17/00 309 E
, H01L 29/78 371
