特許

J-GLOBAL ID：200903006870711089

ドライエッチング装置及び半導体の製造方法

発明者： 山下 良美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-025763
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235517
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 ドライエッチング装置に関し、ウエーハ表面に付着する塵埃を減少することを目的とする。【構成】 チャンバ4内でウエーハ1表面をエッチングするドライエッチング装置において,ウエーハ1の表面近傍にウエーハ1表面に平行な帯状光ビーム2を照射する光ビーム発生源3を有し,帯状光ビーム2に照射された塵埃を気化することを特徴として構成する。

請求項（抜粋）：

チャンバ(4)内でウエーハ(1)表面をエッチングするドライエッチング装置において,該ウエーハ(1)の表面近傍に,照射された塵埃が気化する光強度を有し,該ウエーハ(1)表面に平行な帯状光ビーム(2)を発生する光ビーム発生源(3)を有することを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (5件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341

FI (4件)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/26 L ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 P