特許

J-GLOBAL ID：200903006879471331

高周波集積回路

発明者： 関根 健治 ,  山田 宏治 ,  山▲崎▼ 松夫 ,  鈴木 正博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293579
公開番号（公開出願番号）：特開平10-145017
出願日： 1996年11月06日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 高周波性能を向上させた高周波集積回路を実現する。【解決手段】 半導体素子2以外のインピーダンス整合回路を構成する素子部分の半導体基板13の厚みをエッチング等により薄くし、薄層化した部分の半導体基板13上に絶縁性の樹脂12を設け、この絶縁層を設けた部分の厚さが半導体素子2の部分と同じ厚さになるようにし、その上にマイクロストリップ線路10やスパイラルインダクタンス8のようなインピ-ダンス整合回路素子を設ける。【効果】 インピーダンス整合回路を構成する回路素子の損失を大幅に低減することができ、もって高周波領域での増幅器や発振器等の性能向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の裏面側に形成されたアース導体と、上記半導体基板の表面側に形成された半導体素子及びインピーダンス整合回路とを有する高周波集積回路において、上記インピーダンス整合回路を構成する複数の回路素子のうち少なくとも1つの回路素子の下部における上記半導体基板が薄層化され、上記少なくとも1つの回路素子と上記半導体基板との間に絶縁性の樹脂が設けられていることを特徴とする高周波集積回路装置。

IPC (3件)：

H05K 1/02 ,  H01P 3/08 ,  H01P 5/08

FI (4件)：

H05K 1/02 P ,  H05K 1/02 N ,  H01P 3/08 ,  H01P 5/08 L