特許

J-GLOBAL ID：200903006882057856

レティクルとレティクルにより作成される半導体装置

発明者： 村上 明繁
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206691
公開番号（公開出願番号）：特開平9-034100
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 ラインアンドスペースの一番外側にあるラインを2光結像させ、解像度と焦点深度の低下がない露光を行うレティクルを提供する。【構成】 縮小投影露光装置に組み込まれ、斜入射照明光の照射により、基板上に投影露光される転写パターンが形成されたレティクルであり、転写パターンが、一方向に長い形状で繰り返されるライン幅Lのラインパターン21とスペース幅Sのスペースパターン22とからなるラインアンドスペースパターン23と、ラインアンドスペースパターン23の外側に、スペース幅Sの距離に形成され、縮小投影露光装置の解像限界以下のダミーラインパターン24とで構成されている。最外側のラインパターン21のコントラストは、内側のラインパターン21とほぼ等しく、解像度や焦点深度の低下がなく、斜入射照明を行った場合に、基板上の投影像の解像度と焦点深度とを向上され、高精度で精密なレジストパターンの形成が可能になる。

請求項（抜粋）：

縮小投影露光装置に組み込まれ、斜入射照明光で照射されることにより、ウエハ上に投影露光される転写パターンが形成されたレティクルであり、前記転写パターンは、一方向に長い形状で繰り返されるライン幅Lとスペース幅Sのラインアンドスペースパターンと、該ラインアンドスペースパターンの外側に、前記スペース幅Sの距離に形成され、前記縮小投影露光装置の解像限界以下のダミーラインパターンとを有することを特徴とするレティクル。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 D ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 515 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-019191   出願人：日本電信電話株式会社
• マスクおよびパタン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-158189   出願人：日本電信電話株式会社