特許
J-GLOBAL ID：200903006885766475
MIM/MIS電子源およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志村 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-137210
公開番号（公開出願番号）：特開平8-315722
出願日： 1995年05月11日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：
【要約】【目的】 所定面内で、均一かつ安定した電子放出が可能であり、また、製造プロセスが簡便なMIM/MIS電子源およびその製造方法を提供する。【構成】 500torrの第1のチャンバ内にヘリウムを導入し、金を蒸発させ、直径30nm程度の超微粒子Auを生成し、500torrの第2のチャンバ内にヘリウムと酸素を導入し、アルミニウムを蒸発させ、表面が酸化膜(Al2O3)に覆われた直径30nm程度の超微粒子Alを生成する。両超微粒子を第3のチャンバ内に導入し、ノズルから吹き出させて基板上に両微粒子の混合層を形成する。この混合層に電圧V1を印加すると、Al→Al2O3→AuというMIM接合においてトンネル電流が流れ、電子放出が起こる。
請求項（抜粋）：
第1の導電性材料からなる第1の微粒子と表面が絶縁層によって覆われた第2の導電性材料からなる第2の微粒子とにより構成される電子源形成層と、この電子源形成層を支持する支持基板と、を有し、前記絶縁層はトンネル効果により電子が通り抜けることが可能な厚みをもち、前記第1の導電性材料と前記第2の導電性材料とは互いにフェルミレベルが異なる金属もしくは半導体によって構成され、前記電子源形成層の二点に所定の電圧を印加したときに、この二点間に電流が流れるのに十分な密度で、前記第1の微粒子および第2の微粒子が充填されていることを特徴とするMIM/MIS電子源。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 B
, H01J 9/02 B
