特許

J-GLOBAL ID：200903006887804200

AlGaInP系発光素子用チップの製造方法

発明者： 高橋 雅宣 ,  能登 宣彦 ,  竹中 卓夫
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-156162
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350136
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】 ダイシング時に導入される加工歪を完全に除去でき、光取り出し効率を向上することができるAlGaInP系発光素子用チップの製造方法を提供する。【構成】 GaAs基板1上にAlGaInP混晶からなる発光層部9が形成されたAlGaInP系発光素子用エピタキシャルウエーハ11にp側電極7及びn側電極8を形成後、ダイシング分離し、その後ダイシング加工歪を除去するためのエッチング処理を行ってAlGaInP系発光素子用チップ10を製造する方法において、前記エッチング処理を[塩酸(HCl)-過酸化水素水(H2O2)]系エッチング液を用いて行う。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上にAlGaInP混晶からなる発光層部が形成されたAlGaInP系発光素子用エピタキシャルウエーハに、電極を形成後、ダイシング分離し、その後ダイシング加工歪を除去するためのエッチング処理を行ってAlGaInP系発光素子用チップを製造する方法において、前記エッチング処理を[塩酸(HCl)-過酸化水素水(H2O2)]系エッチング液を用いて行うことを特徴とするAlGaInP系発光素子用チップの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭55-128885