特許

J-GLOBAL ID：200903006890030061

強誘電体薄膜被覆基板、キャパシタ構造素子、及び強誘電体薄膜被覆基板の製造方法

発明者： 佐藤 咲子 ,  松永 宏典
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-033245
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214945
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、酸化物強誘電体薄膜の配向性を制御することによりその異方性を有効にデバイスに応用でき、緻密で表面平滑な酸化物強誘電体薄膜から成る強誘電体薄膜被覆基板、キャパシタ構造素子、及び強誘電体薄膜被覆基板の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】 基板1〜4上に第1の酸化物強誘電体薄膜5と、第1の酸化物強誘電体薄膜5上に形成された金属酸化物膜6と、金属酸化物膜6上に形成され第1の酸化物強誘電体薄膜5とは同一の構成元素から成り配向性が異なる第2の酸化物強誘電体薄膜7とを順次配置して強誘電体薄膜被覆基板を構成する。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の酸化物強誘電体薄膜と、該第1の酸化物強誘電体薄膜上に形成された金属酸化物膜と、該金属酸化物膜上に形成され前記第1の酸化物強誘電体薄膜とは同一の構成元素から成り配向性が異なる第2の酸化物強誘電体薄膜とが順次配置されて構成される強誘電体薄膜被覆基板。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C